一種新型柵結構的GaN基HEMT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610638795.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106098770A 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN106098770A 申請公布日 2016-11-09
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寶國;馬京路;韓威;張書敬;張達泉;孫丞;楊榮 申請（專利權）人 蘇州本然微電子有限公司
代理機構 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 蘇州本然微電子有限公司;河北遠東通信系統(tǒng)工程有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-B403單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型柵結構的GaN基HEMT器件，所述絕緣層的上端設有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源極和漏極之間，所述插孔內插接有對應的直角梯形的底層柵極，所述底層柵極的上端設有頂層柵極。該新型柵結構的GaN基HEMT器件，底層柵極為直角梯形結構，使底層柵極與勢壘層的距離呈現(xiàn)階梯狀增加，不是形成突變方式，這種結構可以提高器件的擊穿電壓，并且不用增加柵極與漏極之間的距離，同時因為底層柵極靠近漏極端的右下角部分不會形成直角的方式，同樣會減少器件的熱電子效應，從而提高器件的可靠性和使用壽命，而且，通過減少頂層柵極和勢壘層之間的距離可以更好的抑制器件電流崩潰效應。