一種MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜及其制備方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011574098.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112687760A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112687760A 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭陳陽;劉富德;鄭大偉;古元;熊漢琴 申請（專利權(quán)）人 清遠道動新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 顏希文
地址 511500廣東省清遠市清遠高新區(qū)創(chuàng)業(yè)一路6號A2棟8層801-1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的制備方法，涉及半導(dǎo)體薄膜制備技術(shù)和新能源開發(fā)的領(lǐng)域。所述制備方法，包括如下步驟：(1)反應(yīng)前驅(qū)液的制備：在溶劑中加入還原性試劑，攪拌至溶解；溶解后，依次加入硫源、鉬源、硒源，攪拌至溶解，混合均勻后，得到反應(yīng)前驅(qū)液；(2)基片襯底的前期表面處理：將基片襯底進行切割，切割后進行超聲清洗，再浸泡清洗，清洗完成后進行干燥處理；(3)溶劑熱反應(yīng)：將步驟(2)中經(jīng)過前期表面處理的基片襯底，與步驟(1)中得到的反應(yīng)前驅(qū)液接觸，進行溶劑熱反應(yīng)，得到沉積有MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的基片；(4)將步驟(3)中得到的沉積有MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的基片，進行清洗、真空干燥，得到所述MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜。??