硅片刻蝕裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110423573.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113161266A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161266A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳佳俊 申請（專利權(quán)）人 常州億晶光電科技有限公司
代理機構(gòu) 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張云
地址 213213 江蘇省常州市金壇區(qū)堯塘鎮(zhèn)金武路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅片刻蝕裝置，包括用于對硅片單面噴射介質(zhì)的噴淋裝置、用于對硅片進(jìn)行支撐的支撐機構(gòu)和用于限制硅片位移范圍的第一限位機構(gòu)，所述支撐機構(gòu)位于噴淋機構(gòu)和第一限位機構(gòu)之間，當(dāng)硅片放置在支撐機構(gòu)上時，所述硅片與第一限制機構(gòu)之間具有間隙，當(dāng)所述噴淋裝置對硅片單面噴射介質(zhì)時，使用時，通過將硅片放置在支撐機構(gòu)上進(jìn)行支撐，而噴淋機構(gòu)對硅片的單面進(jìn)行噴淋介質(zhì)，在介質(zhì)的作用力下硅片懸浮并與限位機構(gòu)接觸，限位機構(gòu)限制了硅片在支撐機構(gòu)和限位機構(gòu)之間的位移范圍，由原有的浸泡改為噴淋，不會出現(xiàn)硅片由于介質(zhì)波動而翻越至硅片另一面的現(xiàn)象，保證了硅片生產(chǎn)穩(wěn)定可。