一種功率器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911338281.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113097300A 公開（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113097300A 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳雪萌;王艷穎;楊林森 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉星
地址 401331重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號(hào)四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率器件及其制作方法，該方法包括以下步驟：提供一包括第一導(dǎo)電類型外延層的基板；形成第一導(dǎo)電類型阱區(qū)于所述第一導(dǎo)電類型外延層中；形成第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)于所述第一導(dǎo)電類型外延層上；形成分立設(shè)置的且均為第二導(dǎo)電類型的第一、第二及第三體區(qū)于所述第一導(dǎo)電類型外延層中，所述第一導(dǎo)電類型阱區(qū)與所述第二體區(qū)構(gòu)成PN結(jié)；形成第一導(dǎo)電類型的第一源區(qū)于所述第一體區(qū)中，形成第一導(dǎo)電類型的第二源區(qū)于所述第三體區(qū)中。本發(fā)明的功率器件及其制作方法在有源區(qū)形成與所述第一導(dǎo)電類型外延層相同導(dǎo)電類型的深阱，使器件的擊穿點(diǎn)改變，避開元胞區(qū)固有的寄生雙極晶體管區(qū)，大大提高了器件的雪崩耐量，增加了器件的可靠性。