溝槽型場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911400665.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113130633A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號(hào) CN113130633A 申請公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚鑫;焦偉;駱菲;冉英 申請（專利權(quán)）人 華潤微電子（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 401331重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號(hào)四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及制備方法，制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，生長外延層，形成第一溝槽、第二溝槽，制備屏蔽介質(zhì)層、屏蔽柵層、屏蔽柵隔離層、柵介質(zhì)層、柵極層、引出柵第一介質(zhì)層、第一引出柵層、引出柵隔離層、引出柵第二介質(zhì)層以及第二柵層，形成體區(qū)和源極，制備源極接觸孔、引出柵接觸孔，制備源極金屬引出結(jié)構(gòu)及引出柵電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將柵極引出結(jié)構(gòu)制備在器件區(qū)之外的區(qū)域，可以制備較寬的第二溝槽，無需增加光罩，可制備較厚的第二引出柵層（如柵極多晶硅）和外延層之間引出柵第二介質(zhì)層（如氧化層），滿足器件擊穿電壓需求。