一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的硅片處理方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610150143.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN107204388A | 公開(kāi)(公告)日 | 2017-09-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107204388A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-09-26 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 莊輝虎;林錦山;宋廣華;楊與勝;王樹(shù)林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 鈞石(中國(guó))能源有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000 福建省泉州市鯉城區(qū)常泰街道仙塘社區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的硅片處理方法,包括如下步驟:先對(duì)硅片進(jìn)行去損傷處理;再對(duì)硅片進(jìn)行退火處理,誘發(fā)金屬雜質(zhì)及晶體缺陷向表面位移在硅片形成潔凈區(qū);然后讓硅片進(jìn)行兩面制絨處理,形成金字塔絨面;再進(jìn)行化學(xué)清洗,去除化學(xué)氧化層和表面殘余,并鈍化硅片表面;最后將硅片進(jìn)行二次退火處理,通過(guò)氫促進(jìn)硅片中氧外擴(kuò),讓硅片表面形成負(fù)氧區(qū)。本發(fā)明采用腐蝕性溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕,去除掉表面的機(jī)械損傷層后,放入常壓空氣中快速退火,誘發(fā)金屬雜質(zhì)及晶體缺陷向表面位移形成潔凈區(qū),然后化學(xué)制絨和清洗后再次放入高純氫氣中二次退火,利用氫促進(jìn)硅中氧外擴(kuò),使得硅片表面形成負(fù)氧區(qū),有效的去除了硅片表面的金屬雜質(zhì)及改善了氧含量。 |





