一種錫氧化物-改性g-C
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010462756.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111564321A | 公開(公告)日 | 2020-08-21 |
| 申請公布號 | CN111564321A | 申請公布日 | 2020-08-21 |
| 分類號 | H01G11/24(2013.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王國成 | 申請(專利權(quán))人 | 新昌縣易縱新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 | 代理人 | 于潔 |
| 地址 | 312500浙江省紹興市新昌縣小將鎮(zhèn)結(jié)溪村92號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及超級電容器電極材料技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料,包括以下配方原料及組分:磺化聚苯乙烯納米微球、SnCl2、g?C3N4?石墨烯復(fù)合材料、檸檬酸鈉。該一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料,g?C3N4成多孔蜂窩狀,具有發(fā)達(dá)的比表面積和孔隙結(jié)構(gòu),提供了更多的反應(yīng)活性位點(diǎn),納米SnO2均勻地分散和負(fù)載到g?C3N4?石墨烯復(fù)合材料比表面和孔隙中,降低了納米SnO2團(tuán)聚和堆積的現(xiàn)象,納米SnO2空心微球和g?C3N4之間產(chǎn)生異質(zhì)界面結(jié)構(gòu),可以減少SnO2的體積膨脹現(xiàn)象,通過高溫?zé)徇€原法,使一部分納米SnO2還原成SnO,兩者之間形成PN異質(zhì)界面,產(chǎn)生內(nèi)建電場,加速了電荷的轉(zhuǎn)移和傳輸,增強(qiáng)了電極材料的導(dǎo)電性能。?? |





