背面有凹坑的磷化銦晶片、制法和制備其的腐蝕液
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710612344.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109290875A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109290875A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40 | 分類(lèi) | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 王留剛;李海淼;朱頌義 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王媛;鐘守期 |
| 地址 | 101113 北京市通州區(qū)工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)東二街四號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種{100}磷化銦（InP）晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大維度為65微米，凹坑的最大深度為6.0微米。本發(fā)明還涉及該{100}磷化銦（InP）晶片的制備方法以及制備該{100}磷化銦（InP）晶片的腐蝕液。本發(fā)明的{100}磷化銦（InP）晶片背面分布有凹坑，在外延生長(zhǎng)中受熱均勻，應(yīng)用效果好。 |
