一種靶材清理裝置及磁控濺射系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822148894.5 申請日 -
公開（公告）號 CN209974872U 公開（公告）日 2020-01-21
申請公布號 CN209974872U 申請公布日 2020-01-21
分類號 C23C14/35;C23C14/08 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 董志良 申請（專利權(quán)）人 山東禹城漢能薄膜太陽能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東禹城漢能薄膜太陽能有限公司;北京暉宏科技有限公司
地址 251200 山東省德州市德州（禹城）國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)振興大道漢能光伏產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種靶材清理裝置及磁控濺射系統(tǒng)，應(yīng)用于磁控濺射的真空腔內(nèi)，所述真空腔內(nèi)設(shè)有用于傳送待鍍芯片的傳送組件，包括固定板和與所述固定板的第一表面連接的清理組件；所述固定板的第二表面與所述傳送組件可拆卸連接。所述靶材清理裝置被所述傳送組件傳送出所述真空腔，所述靶材清理裝置進(jìn)出所述真空腔的過程如待鍍芯片的方式一致，因此不會(huì)破壞所述真空腔的真空環(huán)境，且清理過程同樣不會(huì)破壞所述真空腔的真空環(huán)境，避免了清理所述AZO靶材時(shí)對真空腔的真空破壞和真空環(huán)境的反復(fù)制作，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本投入。