功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201720353997.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206610823U 公開（公告）日 2017-11-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN206610823U 申請(qǐng)公布日 2017-11-03
分類號(hào) H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 牛萍娟;李艷玲;李曉云;劉宏偉;王小麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 唐山曹妃甸工大海宇光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津?yàn)I?？凭曋R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 唐山曹妃甸工大海宇光電科技股份有限公司
地址 063200 河北省唐山市曹妃甸工業(yè)區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，包括釔鋁石榴石襯底，其上端和下端分別設(shè)有周期性三棱臺(tái)型的微凸結(jié)構(gòu)；在釔鋁石榴石襯底的下端設(shè)有N型氮化鎵層，且位于釔鋁石榴石襯底下端的微凸結(jié)構(gòu)伸入N型氮化鎵層內(nèi)；增透層，其包裹在釔鋁石榴石襯底的上端及四周側(cè)壁上，增透層高折射率絕緣層和低折射率絕緣層交替堆疊；增透層的總厚度為1200埃?7200埃。本實(shí)用新型所述的功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，出光率高。