一種坩堝蓋、坩堝及晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023340832.8 申請日 -
公開（公告）號 CN215163306U 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN215163306U 申請公布日 2021-12-14
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 廖弘基;張潔;陳華榮;楊樹;陳澤斌;洪棋典 申請（專利權）人 湖南三安半導體有限責任公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 覃蛟
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)長沙岳麓西大道2450號環(huán)創(chuàng)園B1棟2405房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種坩堝蓋、坩堝及晶體生長裝置，涉及結晶設備技術領域。坩堝蓋包括蓋體，蓋體具有用于與籽晶粘接的粘接面，在蓋體的粘接面上固定有多孔粘接層。在蓋體的粘接面上固定多孔粘接層，可以有效的改善籽晶的粘接均勻性，提高籽晶粘接的質量，抑制籽晶背面出現(xiàn)的升華現(xiàn)象，能夠有效減少晶體生長過程中六方空洞和微管等缺陷的產生，提高結晶的質量。