一種單晶生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011615411.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112831840B 公開(kāi)（公告）日 2022-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN112831840B 申請(qǐng)公布日 2022-05-10
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 楊樹(shù);張潔;洪棋典;廖弘基 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 410000湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)長(zhǎng)沙岳麓西大道2450號(hào)環(huán)創(chuàng)園B1棟2405房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種單晶生長(zhǎng)裝置，涉及晶片生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該單晶生長(zhǎng)裝置，包括坩堝、籽晶結(jié)構(gòu)、加熱件、導(dǎo)向組件和多孔石墨板；坩堝的頂壁內(nèi)側(cè)配置成安裝碳化硅碎晶片；導(dǎo)向組件設(shè)置在坩堝內(nèi)部；導(dǎo)向組件內(nèi)部形成第一容腔，籽晶結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一容腔的底壁；導(dǎo)向組件的外側(cè)壁和坩堝的內(nèi)側(cè)壁共同形成第二容腔，第二容腔用于裝盛碳化硅，第二容腔具有朝向坩堝的頂壁的開(kāi)口；第一容腔和第二容腔通過(guò)開(kāi)口連通；加熱件設(shè)置在坩堝的外側(cè)，加熱件配置成向坩堝的側(cè)壁提供熱量，還配置成向坩堝的頂壁提供熱量；多孔石墨板安裝在第二容腔內(nèi)部，且配置成供氣態(tài)碳化硅穿過(guò)。本發(fā)明提供的單晶生長(zhǎng)裝置可以減少晶體中碳包覆物的產(chǎn)生，提高晶體品質(zhì)。