減薄砂輪及其組件、減薄碳化硅襯底及減薄方法與應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011548722.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112706085B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN112706085B 申請公布日 2022-03-18
分類號 B24D7/06（2006.01）I;B24D7/16（2006.01）I;B24B41/06（2012.01）I;B24B7/22（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 汪良;張潔;王旻峰 申請（專利權(quán)）人 湖南三安半導體有限責任公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 覃蛟
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)長沙岳麓西大道2450號環(huán)創(chuàng)園B1棟2405房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N減薄砂輪及其組件、減薄碳化硅襯底及減薄方法與應用，涉及碳化硅加工技術(shù)領域。該減薄砂輪包括砂輪底座由多個減薄齒沿砂輪底座的周向依次首尾連接而成的減薄基底，減薄基底不含金剛石固體。該減薄砂輪能夠避免在減薄碳化硅過程中造成深淺不一的劃痕，能降低碳化硅襯底的損耗和加工成本。含上述減薄砂輪的碳化硅減薄組件能有效地對碳化硅進行減薄。采用上述組件進行減薄操作，可降低減薄后碳化硅襯底表面的劃傷深度，甚至降低碳化硅襯底表面的損傷層，提高減薄后襯底表面的光潔度，此外，還能減少減薄過程中的襯底破損率，提高襯底加工的合格率。所得的減薄碳化硅襯底表面光潔，合格率高，其可進一步用于加工半導體器件。