一種拋光墊及其制備方法、應(yīng)用
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011163365.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112338820B | 公開(公告)日 | 2021-10-29 |
| 申請公布號 | CN112338820B | 申請公布日 | 2021-10-29 |
| 分類號 | B24D3/28(2006.01)I;B24D11/00(2006.01)I;B24D11/02(2006.01)I;B24D11/04(2006.01)I;B24D18/00(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
| 發(fā)明人 | 王騰;羅乙杰;王磊;劉敏;楊浩 | 申請(專利權(quán))人 | 湖北鼎匯微電子材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430057湖北省武漢市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東荊河路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開一種拋光墊及其制備方法、應(yīng)用。該拋光墊具有不同壓縮比和回彈率的組合片共同形成的緩沖層及疊合在緩沖層上的拋光層;不同組合片形成中心圓心緩沖區(qū)、環(huán)繞中心緩沖區(qū)依次設(shè)置的一個(gè)或一個(gè)以上的中間環(huán)形緩沖區(qū)以及環(huán)繞中間緩沖區(qū)設(shè)置的外緣環(huán)形緩沖區(qū)。緩沖層的組合片沿拋光墊中心至外緣的方向壓縮比和回彈率的不同設(shè)置,在機(jī)械拋光過程中,其磨損率基本維持一致,故能夠使得所要拋光的晶片表面變得平坦,且平坦化效率較高。 |





