一種高介電性能二氧化鈦填料及其制備PTFE高頻基板的用途

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110667653.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113402774A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113402774A 申請公布日 2021-09-17
分類號 C08K9/00（2006.01）I;C08K9/02（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;C08K7/18（2006.01）I;C08L27/18（2006.01）I;C01G23/08（2006.01）I;H05K1/03（2006.01）I 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 宋錫濱;張偉;王海超;禹在在;張茂林;馬雁冰 申請（專利權(quán)）人 山東國瓷功能材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智橋聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡修文
地址 257091山東省東營市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河路24號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高介電性能的微米級二氧化鈦填料，以及其制備PTFE高頻基板的用途。本發(fā)明所述高介電性能的微米級二氧化鈦粉體填料，以納米級二氧化鈦晶粒為原料，通過對雜質(zhì)元素的成分及含量的穩(wěn)定及精準(zhǔn)控制，經(jīng)高溫煅燒制備所需微米級二氧化鈦粉體。在煅燒過程中，離子半徑較大的雜質(zhì)離子會(huì)進(jìn)入到二氧化鈦晶格中，進(jìn)而形成較大程度的晶格畸變，導(dǎo)致正負(fù)離子的極化強(qiáng)度變大，從而提高所得微米級二氧化鈦粉體的介電常數(shù)，同時(shí)，高溫煅燒后的粉體材料，由于其內(nèi)部氣孔率降低，其介電損耗也較小，可獲得較高介電常數(shù)、較低介電損耗的微米級二氧化鈦粉體填料，可滿足于PTFE高頻基板性能的要求。