一種Si襯底的GaN薄膜及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011548786.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112563379A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563379A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高芳亮;楊金銘 申請（專利權）人 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司
代理機構 深圳市精英專利事務所 代理人 武志峰
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號西北工業(yè)大學三航科技大廈16層1611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Si襯底的GaN薄膜及制備方法，所述Si襯底的GaN薄膜包括：生長在Si襯底上的基礎AlN層、生長在所述基礎AlN層上的第一AlGaN層、生長在所述第一AlGaN層上的SixNy層、生長在所述SixNy層上的第二AlGaN層、生長在所述第二AlGaN層上的低溫GaN層、生長在所述低溫GaN層上的高溫GaN層。本發(fā)明實施例在緩沖層結構中插入SixNy層，有利于緩解外延層生長過程中產生的應力，并且該層能夠有效的釘扎位錯，最終能夠有效緩解薄膜中缺陷密度，從而實現高晶體質量GaN薄膜生長；本發(fā)明使用Si作為襯底，襯底容易獲得，有利于降低生產成本。??