一種AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 2020113298531 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112271240A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112271240A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/12(2010.01)I; | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高芳亮;楊金銘 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號(hào)西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的SiN層、生長(zhǎng)在所述SiN層上的多個(gè)GaN納米柱、對(duì)應(yīng)包裹在所述多個(gè)GaN納米柱外層的多個(gè)AlN納米柱殼層、對(duì)應(yīng)包裹在所述多個(gè)AlN納米柱殼層外層的多個(gè)AlGaN納米柱殼層、生長(zhǎng)在所述多個(gè)AlGaN納米柱殼層上的非摻雜AlGaN層、生長(zhǎng)在所述非摻雜AlGaN層上的n型摻雜AlGaN層、生長(zhǎng)在所述n型摻雜AlGaN層上的AlGaN多量子阱層、生長(zhǎng)在所述AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長(zhǎng)在所述電子阻擋層上的p型摻雜AlGaN層、生長(zhǎng)在所述p型摻雜AlGaN層上的p型摻雜GaN層。本發(fā)明采用納米柱結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)復(fù)雜的多層薄膜緩沖層結(jié)構(gòu)，降低藍(lán)寶石和AlGaN之間的晶格失配，提高了性能。?? |
