Si襯底的AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011549420.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112563380A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563380A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高芳亮;楊金銘 申請（專利權(quán)）人 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 武志峰
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了Si襯底的AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，所述Si襯底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生長在Si襯底上的低溫AlN層、生長在所述低溫AlN層上的高溫AlN層、生長在所述高溫AlN層上的第一AlGaN層、生長在所述第一AlGaN層上的第二AlGaN層、生長在所述第二AlGaN層上的n型摻雜AlGaN層、生長在所述n型摻雜AlGaN層上的AlGaN多量子阱層、生長在所述AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長在所述電子阻擋層上的Al組分分段漸變p型摻雜AlGaN層、生長在所述Al組分分段漸變p型摻雜AlGaN層上的p型摻雜GaN層。??