AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010722267.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111739989A | 公開（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111739989A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-02 |
| 分類號(hào) | H01L33/10(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 高芳亮;楊金銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號(hào)西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，其中，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：碳化硅襯底、沉積在所述碳化硅襯底上的Ag層、生長(zhǎng)在所述Ag層上的AlN緩沖層、生長(zhǎng)在所述AlN緩沖層上的AlGaN緩沖層、生長(zhǎng)在所述AlGaN緩沖層上的非摻雜AlGaN層、生長(zhǎng)在所述非摻雜AlGaN層上的n型摻雜AlGaN層、生長(zhǎng)在所述n型摻雜AlGaN層上的AlGaN多量子阱層、生長(zhǎng)在所述AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層和生長(zhǎng)在所述電子阻擋層上的p型摻雜GaN薄膜。本發(fā)明無(wú)需采用剝離工藝，外量子效率得到大幅提升；能減少位錯(cuò)的形成，提高了載流子的輻射復(fù)合效率，可得到高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、高發(fā)光性能深紫外LED；深紫外LED電流分布更加均勻，提高出光效率，同時(shí)具有良好的散熱能力；制備工藝簡(jiǎn)單，具有可重復(fù)性。?? |
