Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011551635.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112687779A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112687779A 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高芳亮;楊金銘 申請（專利權(quán)）人 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 武志峰
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法，所述Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)包括：生長在Si襯底上的基礎(chǔ)AlN層、生長在所述基礎(chǔ)AlN層上的第一高溫AlN層、生長在所述第一高溫AlN層上的低溫AlN層、生長在所述低溫AlN層上的第二高溫AlN層、生長在所述第二高溫AlN層上的第一AlGaN層、生長在所述第一AlGaN層上的第二AlGaN層，其中所述第二AlGaN層的厚度比所述第一AlGaN層的厚度大。本發(fā)明在Si襯底上制備AlN緩沖層，并采用低溫結(jié)合高溫AlN緩沖層技術(shù)，能夠有效避免降低Si和Ga之間在高溫下的回熔刻蝕反應(yīng)，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，獲得高性能的AlGaN薄膜。??