一種含內(nèi)置浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710781884.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107623043B 公開(kāi)（公告）日 2019-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN107623043B 申請(qǐng)公布日 2019-06-14
分類(lèi)號(hào) H01L29/788（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/10（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平; 田凱; 祁金偉; 楊明超; 陳家玉; 王旭輝; 曾翔君; 李留成 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 西安交通大學(xué);東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種含內(nèi)置浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法，器件包括源極、第一導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)接觸、第二導(dǎo)電類(lèi)型基區(qū)、重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型基區(qū)、多晶硅、柵極、槽柵介質(zhì)、第二導(dǎo)電類(lèi)型柵氧保護(hù)區(qū)、第二導(dǎo)電類(lèi)型浮空區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底和漏極。本發(fā)明所述第二導(dǎo)電類(lèi)型柵氧保護(hù)區(qū)下移，引入的空間電荷區(qū)對(duì)電子的阻礙減小，因此器件的導(dǎo)通電阻減?。坏诙?dǎo)電類(lèi)型浮空區(qū)在漂移區(qū)中引入新的電場(chǎng)峰，同時(shí)對(duì)器件柵氧電場(chǎng)起到屏蔽作用，因此提升器件擊穿電壓。