一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010954549.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111933718A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請公布號 | CN111933718A | 申請公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號 | H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王洋;施錦源 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳市鴻泰集成電路技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 | 代理人 | 深圳市鴻泰集成電路技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道橋頭社區(qū)福海信息港A1棟406 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)及其制作方法，該新型低電容TVS結(jié)構(gòu)包括高阻襯底，高阻襯底通過三重擴散工藝形成第一摻雜層及位于第一摻雜層上方的高阻層，高阻層設(shè)有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)將高阻層分為左通道、中間通道和右通道，中間通道形成第二摻雜層，右通道內(nèi)形成阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)、左通道和中間通道內(nèi)均形成第三摻雜層；采用三重擴散工藝的方式形成高阻層，獲得超低電容TVS結(jié)構(gòu)，相對于外延技術(shù)獲得的高阻層，本發(fā)明所述方法實現(xiàn)難度小且制作成本低，所形成的TVS結(jié)構(gòu)具有低電容和高浪涌的性能。?? |
