量子場分布的Trench MOSFET溝槽終端結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310173432.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103280452A 公開（公告）日 2013-09-04
申請公布號 CN103280452A 申請公布日 2013-09-04
分類號 H01L29/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新 申請（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀城南路216號天府軟件園D區(qū)6號樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 量子場分布的TrenchMOSFET溝槽終端結(jié)構(gòu),包括外延層，及位于外延層中深度相同的第一隔離槽和平行于第一隔離槽，且位于第一隔離槽遠離硅片邊界一側(cè)的第二隔離槽；第一隔離槽和第二隔離槽內(nèi)部都有多晶硅電極，所述多晶硅電極與溝槽內(nèi)壁之間有柵氧化層，所述第一隔離槽和第二隔離槽之間連接有短隔離槽。及制造上述結(jié)構(gòu)的制造方法。采用本發(fā)明所述的量子場分布的TrenchMOSFET溝槽終端結(jié)構(gòu)及制造方法，改變了原來終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計方法，在隔離槽與隔離槽之間用小溝槽相連接，此結(jié)構(gòu)消除了體區(qū)邊緣的曲率半徑，把體區(qū)終端部分更充分地變?yōu)槠叫衅矫娼Y(jié)。這種結(jié)構(gòu)既不用設(shè)計場板和場限環(huán)結(jié)合結(jié)構(gòu)中的距離難點，而且還節(jié)省了芯片的面積。