MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410300621.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105277733B 公開（公告）日 2018-06-08
申請公布號 CN105277733B 申請公布日 2018-06-08
分類號 G01P1/00;G01P15/00;B81B7/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 戴忠偉 申請（專利權(quán)）人 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
地址 200030 上海市徐匯區(qū)樂山路33號1號樓305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結(jié)構(gòu)。所述硅蓋帽結(jié)構(gòu)包括一頂部、一與所述頂部相垂直的垂直支撐部，所述頂部與所述垂直支撐部構(gòu)成一用于容置MEMS元器件的半封閉腔體，在所述半封閉腔體的開口端且在所述垂直支撐部的底面上設(shè)有一沿所述底面的周向向內(nèi)和向外延伸的擴展接觸部，所述擴展接觸部與所述垂直支撐部構(gòu)成一半工字形的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的硅蓋帽增大了硅蓋帽與金屬合金的接觸面積，從而增大了鍵合面積，進一步增強了鍵合強度；對于硅蓋帽與金屬合金接觸部分，本發(fā)明采用了半工字的硅蓋帽垂直支撐腳結(jié)構(gòu)，提高了其機械強度，從而使本發(fā)明既能滿足機械強度的要求又能滿足鍵合強度要求。