半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811152403.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109300976B 公開（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN109300976B 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黎子蘭;劉小平;張樹昕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王文紅
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。通過本申請(qǐng)實(shí)施例中的制作方法制造得到的半導(dǎo)體器件，基底與后續(xù)制作的外延結(jié)構(gòu)之間具有絕緣層，絕緣層可以有效的抑制在氮化物外延生長(zhǎng)過程中對(duì)硅襯底的摻雜，從而減少引入硅襯底內(nèi)的自由載流子，大幅降低硅襯底對(duì)外延結(jié)構(gòu)上的電信號(hào)響應(yīng)，大幅減少器件的寄生電容。同時(shí)，絕緣層可以有效的抑制器件中通過硅襯底的泄露電流。此外，本申請(qǐng)中的氮化物半導(dǎo)體層是以絕緣層上開口內(nèi)的基底為成核中心生長(zhǎng)得到，使得氮化物半導(dǎo)體層具有更好的晶體質(zhì)量。