一種集成電路晶圓背面處理工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110640301.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113380615A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113380615A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L21/306（2006.01）I;H01L21/3205（2006.01）I;H01L21/321（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖笛;涂利彬;肖廣源;羅紅軍 申請（專利權(quán)）人 上海華友金裕微電子有限公司
代理機構(gòu) 常州市科誼專利代理事務所 代理人 孫彬
地址 201700上海市青浦區(qū)盈港東路6666號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成電路晶圓背面處理工藝，本發(fā)明的有益效果：通過在晶圓減薄的工序前增加一道貼玻璃工序，提高了晶圓的整體支撐力，提高成品率，可以將晶圓厚度降低，可以明顯降低接觸電阻，降低熱阻，提高芯片性能；本工藝中選用鈦作為底層與晶圓直接接觸，另外選用鎳和銀作為導電金屬，利用電子束的方式分別加熱鈦、鎳、銀，使鈦、鎳、銀蒸發(fā)并依次沉積在晶圓表面，將源極或漏極導出；通過電化學的方式來增加金屬銀層厚度，可以將金屬銀層的厚度提高到80um左右，同時保證金屬層的結(jié)合力和金屬層厚度均勻；晶圓背面貼膜可保護去除晶圓表面玻璃時對晶圓損傷，同時對晶圓劃片切割作準備。