一種集成電路晶圓正面處理工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110433196.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113140468A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113140468A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/48（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 肖廣源;羅紅軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海華友金裕微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州市科誼專(zhuān)利代理事務(wù)所 | 代理人 | 孫彬 |
| 地址 | 201700上海市青浦區(qū)盈港東路6666號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路晶圓正面處理工藝，本發(fā)明的有益效果：本處理工藝通過(guò)在晶圓基面的表面覆鋅，方便將鑷與金覆在晶圓上；鈀比較穩(wěn)定，鎳和金都容易發(fā)生離子遷移，鎳層上覆鈀，可以把鎳層和金層隔開(kāi)，防止金和鎳之間的相互遷移，不會(huì)出現(xiàn)黑鎳現(xiàn)象。 |
