碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110867779.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113664694A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113664694A 申請公布日 2021-11-19
分類號 B24B29/02（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;G01B21/08（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 趙麗霞;魏汝省;李斌;李鵬;原帥武;牛玉龍;張峰;靳霄曦 申請（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體材料加工技術(shù)領域，是一種碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法；具體是先對待測定的拋光片進行外延生長形成外延層；測量拋光片連同外延層的整體總厚度T總1以及外延層的厚度T外1；進行雙面拋光，時間為t；拋光后再次測試拋光片連同外延層的整體總厚度T總2和外延層厚度T外2；計算△T總＝T總1－T總2；△T硅面＝T總1－T總2；總拋光速率＝△T總/t；硅面拋光速率＝△T硅面/t；碳面拋光速率＝（△T總－△T硅面）/t；本發(fā)明方法可以分別監(jiān)控硅面及碳面的去除量，即使雙面去除不一致時，也可以識別到單面的去除量，避免了單面損傷層無法去除的問題，精確度高，拋光片表面的損傷減小。