一種半導(dǎo)體級(jí)硅粉的純化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111337818.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113772675A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113772675A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) C01B33/037（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 張辰宇;趙麗霞;魏汝省;馬康夫;方芃博;陳琪;李剛;許正;靳霄曦;張馨丹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體級(jí)硅粉的純化方法，屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域；該方法是先將待純化的硅粉置于感應(yīng)加熱爐內(nèi)，在真空狀態(tài)下升溫至1000?1300℃；真空度為4.5?5.5×102mbar；之后在爐腔中注入高純H至700?900mbar；隨后再抽真空至原始真空度；將氯化氫與氬氣以流量比7?9:1.5?2.5通入腔體內(nèi)，通氣至壓力為700?900 mbar，保持4?6 h，之后將爐體內(nèi)壓力降至＜10 mbar；本發(fā)明有效提高硅粉的純度，純化后的硅粉滿足生產(chǎn)高純碳化硅粉料的純度要求；同時(shí)也降低了整個(gè)純化過程的危險(xiǎn)性。