碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110917059.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113601376A 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113601376A 申請公布日 2021-11-05
分類號 B24B29/02（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 趙麗霞;楊牧軒;李斌;李鵬;原帥武;牛玉龍;張峰;靳霄曦 申請（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法；具體是先對待測定拋光片的碳面和硅面分別進(jìn)行邊緣倒角處理；分別測量硅面和碳面的倒角邊緣，得到硅面和碳面的面幅長度及角度參數(shù)，之后分別對硅面和碳面進(jìn)行拋光，記錄拋光時長，再次測量硅面和碳面的面幅長度；并計算硅面和碳面的厚度減少量；通過厚度減少量計算硅面和碳面的拋光速率；本發(fā)明可以分別監(jiān)控硅面及碳面的拋光速率，精確度高，拋光片表面的損傷減小，不增加任何成本和工序，成本低，簡單方便，適用于批量生產(chǎn)。