一種新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022811526.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213692062U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213692062U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/74;H01L23/29;H01L21/332;H01L21/56;C25D13/12 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 許志峰;李超;張鵬;周健 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇吉萊微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧海洋 |
| 地址 | 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)牡丹江西路1800號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片，本實(shí)用新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片PN終端面經(jīng)過(guò)腐蝕成型后既可以直接在硅基表面采用智能電泳法、形成玻璃層，特別地在硅基表面通過(guò)LPCVD方法生長(zhǎng)SIPOS膜后，在半絕緣多晶SIPOS膜層上，通過(guò)電泳液配比研究，確定獨(dú)特的電泳液配方，在電泳工藝過(guò)程中采用動(dòng)態(tài)智能監(jiān)控軟件系統(tǒng)，具有實(shí)時(shí)監(jiān)控、異常告警、儲(chǔ)存追溯特點(diǎn)，高溫?zé)Y(jié)形成均勻、致密、透明的玻璃膜，芯片具有擊穿耐壓高、高溫漏電小，可靠性高特征。 |
