一種反應(yīng)室分布式石英星盤陣列粗糙度控制的裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021612076.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212713744U | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212713744U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | C23C16/44(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉燁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 陜西宇騰電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710000陜西省西安市雁塔區(qū)長安南路農(nóng)林壹號(hào)小區(qū)1號(hào)樓1單元1902 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種反應(yīng)室分布式石英星盤陣列粗糙度控制的裝置，包括石英星盤，所述石英星盤的中部開設(shè)有圓孔，所述石英星盤的四周開設(shè)有多個(gè)弧口。本實(shí)用新型石英星盤上設(shè)有的弧口與石墨貼合，MOCVD工藝在基板表面形成薄膜的同時(shí)，不會(huì)在反應(yīng)腔體內(nèi)形成殘余沉積物，同時(shí)基板表面也不會(huì)產(chǎn)生缺陷，大大提高半導(dǎo)體的電學(xué)性能。?? |
