一種反應(yīng)室八寸石墨盤防飛脫的裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021621863.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212713749U | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212713749U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | C23C16/458(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉燁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 陜西宇騰電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710000陜西省西安市雁塔區(qū)長(zhǎng)安南路農(nóng)林壹號(hào)小區(qū)1號(hào)樓1單元1902 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種反應(yīng)室八寸石墨盤防飛脫的裝置，包括所述晶圓上設(shè)置有凹槽，所述晶圓的內(nèi)部設(shè)置有三個(gè)圓盤，所述凹槽設(shè)有角度10度的縮口，所述晶圓的底部設(shè)置有圓弧。本實(shí)用新型當(dāng)在高溫生長(zhǎng)階段，晶圓不會(huì)產(chǎn)生喬曲，此時(shí)搭配上整體行星式運(yùn)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速很高，可以減少晶圓產(chǎn)生飛脫。?? |
