一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122002212.1 申請日 -
公開（公告）號 CN216074100U 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN216074100U 申請公布日 2022-03-18
分類號 C30B33/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬飛;婁中士;李鵬飛;張凈源;閆鵬飛;袁長宏;周宏邦;賈海洋;張強;王淼;張恒 申請（專利權）人 內(nèi)蒙古中環(huán)領先半導體材料有限公司
代理機構 天津諾德知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置，包括水平方向設置的工作臺，用于放置待退火處理的單晶硅；豎直方向上設置的支撐桿，支撐桿一端設置于工作臺上，支撐桿另一端設置有懸掛桿，懸掛桿為水平方向上設置，懸掛桿一端與支撐桿連接；懸掛設置于懸掛桿下方的主風扇，用于向工作臺提供風冷，輔助單晶硅快速退火降溫。本實用新型解決了目前現(xiàn)有技術由于RTP設備自身的限制，處理結束后，單晶硅自然降溫速率較低，降溫慢，無法滿足實際生產(chǎn)需求，影響生產(chǎn)效率的問題；提供一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置，該輔助降溫裝置可以對經(jīng)過RTP處理后的單晶硅樣品進行快速冷卻，可以顯著增加單晶硅的退火降溫效率，提高生產(chǎn)效率。