一種激光器芯片的化合物外延生長的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110617101.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113381288A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113381288A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01S5/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭君雄;鄭世進;崔雨舟;王青 申請（專利權(quán)）人 深圳市中科光芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京恒泰銘睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張靜
地址 518100廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣坑社區(qū)黃閣北路449號龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號廠房B401-W
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種激光器芯片的化合物外延生長的制造方法，包括調(diào)溫機構(gòu)、回收機構(gòu)，所述調(diào)溫機構(gòu)包括連接塊，所述連接塊內(nèi)部活動連接有限位滑桿，所述連接塊遠離限位滑桿的一側(cè)活動連接有緩沖彈簧，所述連接塊左側(cè)固定連接有調(diào)節(jié)撥片，所述調(diào)節(jié)撥片遠離連接塊的一端活動連接有電阻片，所述電阻片外部固定連接有緊固架，通過溫度經(jīng)判斷桿傳導(dǎo)至傳動腔內(nèi)，從而拉動連接塊在限位滑桿上滑動，在連接塊滑動的過程中其會同時帶動調(diào)節(jié)撥片在電阻片上滑動，使得施加在電熱絲上的電壓大小發(fā)生改變，如此便達到了在第一次外延生長時自動平衡原理溫度防止出現(xiàn)導(dǎo)熱不均勻致使質(zhì)量問題的效果。