一種寬禁帶半導體碳化硅功率器件封裝結構及封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810475345.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108615712A 公開（公告）日 2018-10-02
申請公布號 CN108615712A 申請公布日 2018-10-02
分類號 H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請（專利權）人 江蘇芯澄半導體有限公司
代理機構 南京利豐知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚中市三茅街道春柳北路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導體碳化硅功率器件封裝結構及封裝方法，涉及碳化硅功率器件封裝技術領域。包括正電極和負電極，所述正電極和負電極之間設有碳化硅功率器件，所述負電極下方設有封裝基板，所述封裝基板外側設有外殼，所述封裝基板下方設有散熱器，所述封裝基板和負電極之間設有導熱層；所述導熱層包括數個導熱排，每個導熱排包括多個相互抵觸的導熱金屬球，所述導熱金屬球一端與負電極粘結，另一端與封裝基板粘結，且相鄰導熱排的所述導熱金屬球之間相互抵觸，并形成散熱間隙。本發(fā)明可以快速有效的實現對器件內部進行散熱，使內部工作環(huán)境溫度較低，從而提高使用壽命。