一種圖形化藍(lán)寶石襯底的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911067761.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110854012A 公開（公告）日 2020-02-28
申請公布號 CN110854012A 申請公布日 2020-02-28
分類號 H01L21/02;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許南發(fā);李志;席慶男;王曉慧 申請（專利權(quán)）人 元旭半導(dǎo)體科技（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 楊筠
地址 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)天門路以西,錦繡大道以南天門湖工業(yè)園1幢廠房2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及藍(lán)寶石襯底制備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種圖形化藍(lán)寶石襯底的制備方法，方法包括：在選取的藍(lán)寶石平片上形成SiO2掩膜層，其中，所述SiO2掩膜層的結(jié)構(gòu)與預(yù)先設(shè)計(jì)的掩膜圖形相匹配；利用濃H2SO4與濃H3PO4的混合溶液在高溫下會對藍(lán)寶石進(jìn)行晶向腐蝕，形成藍(lán)寶石圖形層；對形成的所述藍(lán)寶石圖形層進(jìn)行ICP刻蝕，形成藍(lán)寶石襯底，實(shí)現(xiàn)有效利用濕法和干法刻蝕藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn)，而且通過濕法和干法刻蝕的有效結(jié)合，提升外延的生長質(zhì)量和芯片發(fā)光亮度。