一種柔性集成電路及其加工方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202111285245.X | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114203688A | 公開(公告)日 | 2022-03-18 |
| 申請公布號 | CN114203688A | 申請公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號 | H01L25/16(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王瑋;張美璇 | 申請(專利權(quán))人 | 北京協(xié)同創(chuàng)新研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 史晶晶 |
| 地址 | 100086北京市海淀區(qū)蘇家坨鎮(zhèn)翠湖南環(huán)路13號院1號樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種柔性集成電路及其加工方法。柔性集成電路包括柔性電路板和粘接在所述柔性電路板上的柔性集成電路;所述柔性集成電路包括間隔排布的多個電路模塊,多個電路模塊之間隔離區(qū)域填充有柔性絕緣材料,并且每個所述電路模塊均直接粘接在所述柔性電路板上;還包括將所述多個電路模塊電互連的第一導(dǎo)電引線,以及將所述柔性集成電路與所述柔性電路板電連接的第二導(dǎo)電引線。本發(fā)明無需對硅晶圓等半導(dǎo)體材料減薄到50μm以下,也與現(xiàn)有CMOS集成電路工藝兼容,并且可獲得高性能、高可靠性、功能復(fù)雜、集成度高、可規(guī)?;圃斓墓杌嵝约呻娐?。 |





