一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110450783.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113190174A 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113190174A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) G06F3/06（2006.01）I;G06F15/78（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 王銳;陸思茗;李建軍;王亞波;莫軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣芯微電子（廣州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郭浩輝;顏希文
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)（中新廣州知識(shí)城）億創(chuàng)街1號(hào)406房之227
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置，在基本的讀、寫、空閑狀態(tài)以外，增加了三個(gè)狀態(tài)，在保留與現(xiàn)有技術(shù)相同的指令執(zhí)行效果的前提下，通過對(duì)SRAM控制器進(jìn)行先讀后寫和對(duì)寫操作進(jìn)行鎖存的控制，避免了在寫后讀操作需多等待至少一個(gè)周期的問題。從而通過實(shí)施本發(fā)明能夠大大提高指令的執(zhí)行效率，有效提升SOC系統(tǒng)運(yùn)行程序的能力。