功率器件及其制造方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910374281.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN110212016A | 公開(公告)日 | 2019-09-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110212016A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-09-06 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I; H01L21/336(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳文高; 楊東林; 劉俠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海昱率科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海昱率科技有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本公開涉及一種功率器件,包括:襯底;第一外延層,設(shè)置于所述襯底上;第二外延層,設(shè)置于所述第一外延層上;多個(gè)第一體區(qū),設(shè)置于所述第二外延層中;多個(gè)第二體區(qū),設(shè)置于相應(yīng)第一體區(qū)的下方;其中,所述多個(gè)第二體區(qū)從所述第二外延層向下延伸到所述第一外延層中,所述多個(gè)第二體區(qū)的底部位于所述第一外延層中。 |





