深溝槽功率器件和電子設備
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201822210492.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN209461469U | 公開（公告）日 | 2019-10-01 |
| 申請公布號 | CN209461469U | 申請公布日 | 2019-10-01 |
| 分類號 | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊東林;陳文高;劉俠 | 申請（專利權）人 | 上海昱率科技有限公司 |
| 代理機構 | 北京中知法苑知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 李明 |
| 地址 | 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開涉及一種深溝槽功率器件，其中，所述功率器件被劃分為元胞區(qū)和終端區(qū)，所述功率器件包括：襯底，襯底下方設置有漏極金屬，襯底上設置有外延層，在所述外延層上設置有體區(qū)，所述體區(qū)中設置元胞區(qū)溝槽和終端區(qū)溝槽，所述元胞區(qū)溝槽和終端區(qū)溝槽從體區(qū)的表面向下延伸到外延層內。所述溝槽內填充有與源極相連的第一導電多晶硅和與柵極相連的第二導電多晶硅。在第一導電多晶硅和第二導電多晶硅之間設置有第二絕緣介質體。 |
