一種以濺射ZnO為電子傳輸層的鈣鈦礦型太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420631749.1 申請日 -
公開（公告）號 CN204167368U 公開（公告）日 2015-02-18
申請公布號 CN204167368U 申請公布日 2015-02-18
分類號 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁祿生;陳偉中;王保增;蔡龍華;陳凱武;蔡耀斌;白華;田清勇;范斌 申請（專利權(quán)）人 昆山惟華光能有限公司
代理機構(gòu) 廈門南強之路專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馬應(yīng)森
地址 361102 福建省廈門市翔安區(qū)火炬高新區(qū)臺灣科技企業(yè)育成中心W403
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種以濺射ZnO為電子傳輸層的鈣鈦礦型太陽能電池，涉及太陽能電池。從下至上依次設(shè)有銦錫氧化物玻璃襯底、ZnO電子傳輸層、CH3NH3PbI3層、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴傳輸層和金屬背電極層；金屬背電極層為Au背電極層或Ag背電極層。銦錫氧化物玻璃襯底的厚度可為100～150nm。所述ZnO電子傳輸層的厚度可為20～120nm。CH3NH3PbI3層的厚度可為20～120nm。2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴傳輸層的厚度可為40～60nm。金屬背電極層的厚度可為60～150nm。