套刻偏差的補(bǔ)償方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010898429.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114114844A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請公布號 | CN114114844A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號 | G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I | 分類 | 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 張海;楊曉松;吳怡旻 | 申請（專利權(quán)）人 | 中芯南方集成電路制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)張江路18號3號樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種套刻偏差的補(bǔ)償方法，包括：獲取x個(gè)第一檢測分布圖，每個(gè)第一檢測分布圖包括多個(gè)檢測區(qū)域，每個(gè)檢測區(qū)域中至少具有1個(gè)檢測位置，x個(gè)第一檢測分布圖間的檢測位置均不重復(fù)，x為大于或者等于2的自然數(shù)；根據(jù)所述x個(gè)第一檢測分布圖對第n批次的晶圓進(jìn)行第一迭代，獲取第n高階套刻偏差模型。從而，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的套刻精度，并且，提高套刻偏差補(bǔ)償?shù)男省?/td> |
