基于衍射的LLE套刻測量標記的形成方法及套刻測量方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010743331.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114068340A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068340A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L21/66（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海;楊曉松;吳怡旻 申請（專利權）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構 北京市一法律師事務所 代理人 劉榮娟
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N基于衍射的LLE套刻測量標記的形成方法及套刻測量方法，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上形成有光阻層；在所述光阻層中形成若干第一溝槽；在剩余光阻層中形成若干第二溝槽。本申請所述的基于衍射的LLE套刻測量標記的形成方法及套刻測量方法，在形成所述第一溝槽后，虛擬填充所述第一溝槽，然而再形成所述第二溝槽，避開禁止在同一膜層連續(xù)進行兩次相同的工藝的設計規(guī)則，在光阻層中形成包括第一溝槽和第二溝槽的光柵結構，用于進行DBO測量。