半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010710127.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113972136A | 公開(公告)日 | 2022-01-25 |
| 申請公布號 | CN113972136A | 申請公布日 | 2022-01-25 |
| 分類號 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇;吳倩倩 | 申請(專利權(quán))人 | 中芯南方集成電路制造有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市一法律師事務(wù)所 | 代理人 | 劉榮娟 |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括鰭片區(qū)和輔助區(qū),所述輔助區(qū)位于所述鰭片區(qū)的外側(cè),所述鰭片區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭片;補強層,位于所述半導(dǎo)體襯底表面和所述若干鰭片的部分側(cè)壁;隔離層,位于所述補強層表面;緩沖隔離結(jié)構(gòu),位于所述輔助區(qū)且貫穿所述隔離層。本申請所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,在所述輔助區(qū)形成緩沖隔離結(jié)構(gòu),所述緩沖隔離結(jié)構(gòu)可以平衡所述若干鰭片中最外側(cè)的鰭片受到的應(yīng)力,避免所述若干鰭片中最外側(cè)的鰭片由于應(yīng)力不平衡而傾斜甚至彎折,解決鰭片缺陷問題,提高產(chǎn)品良率。 |





