半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010777534.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114068398A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068398A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉中元 申請（專利權(quán)）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述結(jié)構(gòu)包括：襯底，所述襯底上形成有第一介質(zhì)層；金屬連接結(jié)構(gòu)，貫穿所述第一介質(zhì)層且所述金屬連接結(jié)構(gòu)的頂面高于所述第一介質(zhì)層的頂面，所述金屬連接結(jié)構(gòu)頂部的寬度大于所述金屬連接結(jié)構(gòu)底部的寬度；阻擋層，位于所述第一介質(zhì)層表面，所述阻擋層的頂面與所述金屬連接結(jié)構(gòu)的頂面共面；第二介質(zhì)層，位于所述阻擋層表面和所述金屬連接結(jié)構(gòu)表面；層間連接結(jié)構(gòu)，貫穿所述第二介質(zhì)層且電連接所述金屬連接結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)一方面可以避免形成層間連接結(jié)構(gòu)時過量刻蝕，影響后續(xù)形成所述層間連接結(jié)構(gòu)；另一方面可以增大層間連接結(jié)構(gòu)的核心尺寸，提高其填充質(zhì)量。