天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110047928.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102142658B 公開(kāi)（公告）日 2012-10-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN102142658B 申請(qǐng)公布日 2012-10-31
分類(lèi)號(hào) H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張揚(yáng);王選政;于紅艷;婁瑞;吳哲 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州銀行股份有限公司北京中關(guān)村支行
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京航星網(wǎng)訊技術(shù)股份有限公司
地址 100190 北京市海淀區(qū)科學(xué)院南路1-1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，屬于半導(dǎo)體激光檢測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。為提供穩(wěn)定的用于天然氣傳感應(yīng)用的激光束，以實(shí)現(xiàn)高精度的天然氣檢測(cè)，本發(fā)明提供的方法首先在n-InP襯底上進(jìn)行一次外延，生長(zhǎng)出InP緩沖層、InGaAsP下波導(dǎo)層、多量子阱結(jié)構(gòu)、InGaAsP上波導(dǎo)層以及p-n反型層；然后制作出復(fù)耦合型光柵，再進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出p-InP蓋層、刻蝕停止層和p-InGaAs接觸層；然后腐蝕出脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，并大面積淀積二氧化硅層，再刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口，最后濺射出P面電極并蒸發(fā)出N面電極。由該方法制得的芯片具有可調(diào)諧性好、溫度穩(wěn)定性強(qiáng)、效率高、成本低、壽命長(zhǎng)、適應(yīng)于大規(guī)模生產(chǎn)等一系列優(yōu)點(diǎn)。