集成激光器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110302598.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113113838A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN113113838A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01S5/024（2006.01）I;H01S5/0234（2021.01）I;H01S5/12（2021.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李軍;石文虎;李哲;張?zhí)烀?胡云;周秋桂 申請（專利權）人 武漢華工正源光子技術有限公司
代理機構 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430223湖北省武漢市東湖高新技術開發(fā)區(qū)華中科技大學科技園正源光子產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成激光器件，包括由下至上依次堆疊布設的硅支撐片層、硅光芯片層以及半導體激光器層，硅光芯片層集成有用于將半導體激光器層產(chǎn)生的熱量散出的散熱器，散熱器貼合硅支撐片層設置。本發(fā)明的一種集成激光器件的制備方法，包括S1，預先制作硅光芯片層，并在硅光芯片層中集成散熱器；S2，制作好硅光芯片層后，將硅光芯片層翻轉倒過來并結合至硅支撐片層上；S3，去掉硅光芯片層的硅襯底，留下氧化硅層在頂部，將半導體激光器層堆疊在硅光芯片層上；S4，對半導體激光器層進行后續(xù)加工以完成集成激光器件的制備。本發(fā)明通過集成散熱器，可以加強激光器散熱能力，避免了現(xiàn)有技術中的溫度限制，提高激光性能，有望提升高溫下的總輸出功率。