多晶硅電阻及其制造方法、逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110677950.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113437217A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113437217A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L49/02（2006.01）I;H03M1/46（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡蓉彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶吉芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李鐵 |
| 地址 | 401334重慶市沙坪壩區(qū)鳳凰鎮(zhèn)皂角樹(shù)村臨謝家院子組2號(hào)2-2室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種多晶硅電阻及其制造方法、逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，在形成多晶硅電阻時(shí)，利用絕緣體上硅工藝的特點(diǎn)，把絕緣體上硅襯底的上層硅襯底層劃分成一個(gè)個(gè)絕緣隔離的襯底隔離區(qū)，并在上層硅襯底層上依次形成氧化硅層和多晶硅電阻層，且多晶硅電阻層被劃分成若干個(gè)多晶硅電阻塊，若干個(gè)多晶硅電阻塊被一一對(duì)應(yīng)地置于若干個(gè)襯底隔離區(qū)上，使得襯底隔離區(qū)的電位緊緊跟隨多晶硅電阻塊的電位，使得多晶硅電阻塊與下面的襯底隔離區(qū)無(wú)法形成較強(qiáng)的電場(chǎng)，消除了多晶硅電阻上的載流子聚邊效應(yīng)；將該多晶硅電阻應(yīng)用到逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的前端電阻分壓網(wǎng)絡(luò)上時(shí)，可有效提高電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的線性度，降低了逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的積分非線性度。 |
