一種大功率MOSFET逆變半橋器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201120285048.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN202168004U 公開（公告）日 2012-03-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN202168004U 申請(qǐng)公布日 2012-03-14
分類號(hào) H02M7/48(2007.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 彭詠龍;甄幸祿 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 保定三伊天星電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 071051 河北省保定市向陽(yáng)北大街1968號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對(duì)稱設(shè)置的MOS管、二極管和阻容吸收器件，兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件分別設(shè)置在第一水冷板和第二水冷板上；兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電部分通過(guò)連接片分別與第一水冷板和第二水冷板相連；第一水冷板和第二水冷板分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、負(fù)極板。本實(shí)用新型以水冷板作為直流供電電源的正、負(fù)極板，將MOS管、二極管、阻容吸收器件也安裝在此水冷板上，水冷板既作為直流的導(dǎo)電極板，同時(shí)又作為功率器件的散熱器。本實(shí)用新型省掉了原結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降到了最低。